產(chǎn)品分類
真空高溫CVD爐
真空高溫CVD 爐采用高溫化學氣相沉積的方法，在工件表面沉積各種薄膜，在半導體工業(yè)中應(yīng)用非常廣泛，包括沉積大面積的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料，例如：碳化鉭涂層、碳化硅涂層材料。
- 產(chǎn)品描述
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真空高溫 CVD 爐采用高溫化學氣相沉積的方法，在工件表面沉積各種薄膜，在半導體工業(yè)中應(yīng)用非常廣泛，包括沉積大面積的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料，例如：碳化鉭涂層、碳化硅涂層材料。
例如：可在石墨工件表面沉積碳化鉭涂層和碳化硅涂層。
適用于生產(chǎn)企業(yè)及各大高校材料實驗室、科研院所、環(huán)?？茖W等領(lǐng)域。
設(shè)備構(gòu)成
爐殼采用不銹鋼材質(zhì)，雙層水冷結(jié)構(gòu)，設(shè)有觀察窗和紅外測溫窗、熱電偶測溫裝置。
加熱系統(tǒng)
設(shè)備內(nèi)部安裝加熱器，形成薄膜沉積熱場。
樣品臺系統(tǒng)
樣品臺可同時掛載若干工件。
測溫和加熱電源
1、溫度控制和檢測全部采用熱電偶/鎢錸熱電偶/紅外測溫儀。
2、加熱電源功率根據(jù)實際要求定制電源。
主要技術(shù)指標類型 參數(shù) 功率 約150KW 加熱器工作溫度 ≤2200℃ 真空度 6.67*10-3Pa（冷態(tài)空載） 升壓率 0.08pa/h
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